Informatica

A Intel Corporation e a Micron Technology Inc. anunciaram a chegada da memória flash NAND de 3-bit-por-célula (3bpc) com o processo tecnológico de 25 nanômetros (nm), produzindo o dispositivo NAND de maior capacidade e menor tamanho da indústria. As empresas já enviaram as primeiras amostras do produto para alguns clientes. Intel e Micron esperam estar em produção total até o final do ano.


O novo dispositivo de memória 3bpc de 25nm e 64 GB oferece melhor eficiência no custo e maior capacidade de armazenamento para os competitivos mercados de eletrônicos de consumo e dispositivos de memória SD (Secure Digital) e USB. A memória flash é usada principalmente para armazenar dados, fotos e outros conteúdos multimídia e para a captura e transferência de dados entre computadores e dispositivos digitais como câmeras digitais, reprodutores portáteis de mídia, filmadoras digitais e todos os tipos de computadores pessoais. Esses mercados sofrem pressão constante para fornecer maiores capacidades com preços menores.





Projetada pela joint venture de memória flash IM Flash Technologies (IMFT), os dispositivos com 64 ou 8 Gb com a litografia de 25nm armazenam três bits de informação por célula, ao invés dos tradicionais um bit (célula single-level) ou dois bits (Célula multi-level, ou MLC na sigla em inglês). A indústria também se refere à 3bpc como célula triple-level (TLC).

O dispositivo é cerca de 20 por cento menor do que o MLC da Intel e da Micron com a mesma capacidade, que é atualmente o menor dispositivo de 8 GB em produção. A memória flash de tamanho reduzido é especialmente importante para cartões de memória para usuários finais graças ao seu design compacto. O dispositivo mede 131 mm² e vem em um encapsulamento TSOP (Thin Small-Outline Packages, padrão de tamanho para memória flash) padrão da indústria. "Com o lançamento em janeiro do menor dispositivo da indústria com 25nm, prontamente seguido pelo de 3-bit-por-célula, continuaremos ganhando notoriedade e oferecendo a nossos clientes uma atraente linha de produtos", declarou Tom Rampone, vice-presidente sênior da Intel e gerente geral do Grupo de Soluções NAND da Intel. "A Intel planeja usar a liderança em design e manufatura da IMFT para oferecer os produtos mais competitivos e de maior densidade para nossos clientes, com base no novo dispositivo NAND 8 GB TLC 25nm".

"À medida que a memória NAND está cada vez mais presente nos eletrônicos de consumo, vemos a transição inicial para o TLC com 25nm como uma vantagem competitiva do nosso crescente portfólio de produtos de memória NAND", declarou Brian Shirley, vice-presidente do Grupo de Soluções NAND da Micron. "Já estamos trabalhando para qualificar o dispositivo flash NAND de 8GB TLC dentro dos designs de produtos finais, incluindo produtos de alta capacidade da Lexar Media e Micron".